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安徽天康(集团)股份有限公司

天康本安防爆计算机电缆

更新日期:09-25 16:56人气:

安徽天康本安防爆计算机电缆选型号报价格及产品详细内容由本安防爆计算机电缆厂家安徽天康集团股份整理,如您还有其他关于本安防爆计算机电缆型号选择报价格等问题,欢迎垂询我司本安防爆计算机电缆生产厂家。

本安防爆计算机电缆
天康本安防爆计算机电缆:
 

本安计算机盾构电缆(或本安集散控制系统电缆)适用于石油、化工、电力、燃气工程、矿山等有爆炸危险的地方,以及其他安全要求高的地方防爆 电缆具有低电容、低电感分布式仪表信号电缆,简写为本安,适用于分布式控制系统电缆,具有优异的屏蔽性能和抗干扰性能,因此防爆安全性能明显高于普通分布式控制系统电缆和计算机控制电缆

天康本安防爆计算机电缆执行标准:企业标准

天康本安防爆计算机电缆使用特性:

1:交流额定电压u0/u: 300/500 v
2:电缆导体长期允许zui高工作温度:聚氯乙烯绝缘70℃;交联聚乙烯绝缘为90℃;无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘为70℃ 3:zui低环境温度:固定敷设-40℃;非固定敷设-15℃;安装和铺设过程中的环境温度:不低于0℃ 4:电缆允许弯曲半径:无铠装编织屏蔽电缆不小于电缆外径的6倍;铜带屏蔽和铠装电缆不得小于电缆外径的12倍

本安防爆计算机电缆型号、名称:
 

型号

名称

IA-DJYPVP

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYPVPR

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYP3VP3

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYP3VP3R

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYP2VP2

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYP2VP2R

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYJPVP

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYJPVPR

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYJP3VP3

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYJP3VP3R

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYJP2VP2

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYJP2VP2R

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

WDZ-IA-DJYPVP

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜线编织分屏总屏本安DCS电缆

WDZ-IA-DJYPVPR

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜线编织分屏总屏本安型DCS软电缆

WDZ-IA-DJYP3VP3

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

WDZ-IA-DJYP3VP3R

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

WDZ-IA-DJYP2VP2

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

WDZ-IA-DJYP2VP2R

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

本安防爆计算机电缆规格范围:
 

对数:1-24对
每对芯数:二芯(称二线组),三芯(称三线组)
导体截面:0.5、0.75、1.0、1.5、2.5

本安防爆计算机电缆技术参数 :
 

1、20℃导体直流电阻及导体结构

标称截面(mm2)

导体结构(根数/单丝直径mm)

20℃直流电阻≤(Ω/km)

A类

B类

R类

A、B类

R类

0.5

1/0.8

7/0.3

16/0.2

≤36.0

≤39.0

0. 75

1/0.97

7/0.37

24/0.2

≤24.5

≤26.0

1.0

1/1.13

7/0.43

32/0.2

≤18.1

≤19.5

1.5

1/1.38

7/0.52

30/0.25

≤12.1

≤13.3

2.5

1/1.78

7/0.68

49/0.25

≤7.41

≤7.98

2、20℃绝缘电阻

性能项目

PVC绝缘

PE、XLPE绝缘

20℃时绝缘电阻MΩ.KM

≥25

≥500

3、本安防爆计算机电缆应经受工频交流电压试验:2000V/1min绝缘不发生击穿,试验温度为环境温度。
4、工作电容(1KHZ):线芯与线芯≤90PF/m
5、分布电容(1KHZ)≤0.6μH/m
6、电磁干扰感应电压(干扰磁场400A/m)≤5mV
7、静电感应电压(静电电压20KV)<1V
8、辐射场透入强度(干扰场强120dBμV,干扰场频率200MHZ)≤dBμV

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